基于阈值切换的内存成本
最终，一种特定的存储技术能否被广泛接受，取决于它的成本能否有效地降低。阈值开关提供了一个重要的起点，因为它们比晶体管占用的空间更小。此外，它们不存在通常的晶体管缩放问题，如掺杂引起的短通道效应和接触电阻依赖。一个更大的优点是大电流密度（》 10 MA / cm²）。
1X nm DRAM 的单元大小为 0.0026 um²，而 3D XPoint 内存的单元大小为 0.00176 um²，这表明阈值切换单元已经具有单元尺寸优势。未来 0.02 um x 0.02 um 的单元密度相当于 100 层 0.2 um x 0.2 um 的 3D NAND 单元电池，这是目前最先进的单元密度。一个更大的 0.04 um x 0.04 um 的单元需要 4 层堆叠才能达到同样的密度。因此，将阈值开关缩放至 10 nm 将极大地推动其成为主流。，如上所述，还需要准备连接到阈值开关的基于电阻的存储元件。因此，用阈值开关取代存储器单元中的晶体管，需要广泛接受基于电阻的存储器作为电荷型存储器的替代品。
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