此外，团队在以上存储器的研究基础上集成了非易失性的全铁电场效应晶体管，这种无结的场效应管具有极低的漏电流、超快的操作速度、导通电流可达~110 μA μm-1、亚阈值摆幅接近于零。在源、漏和栅等电脉冲作用下可实现单刀双掷开关功能，与铁电存储器同质集成能够实现简单的逻辑运算，实现存算一体化，有望突破“存储墙”限制，预计可规模化生产。
据了解，该存储技术均为该团队原创，复旦大学拥有全部自主知识产权，并获发明专利 10 项。承担该项工作的博士生柴晓杰和项目研究员江钧为共同第一作者。该项工作得到了洪家旺、张庆华、王杰、黄荣、James F. Scott 和 Cheol Seong Hwang 等国内外知名专家的顶力支持和帮助。该项目得到上海市科技创新行动计划基础研究项目、国家重点研发计划、北京市自然科学基金和国家自然科学基金项目等的专项资助。
该研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的 LiNbO3 铁电单晶畴壁存储器》（“Ferroelectric domain wall memory with embedded selector realized in LiNbO3 single crystals integrated on Si wafers”）为题发表于《自然 - 材料》（Nature Materials），以《非易失性全铁电场效应管》（“Nonvolatile ferroelectric field-effect transistors”）为题发表于《自然 - 通讯》（Nature Communications）。
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