2.3.26位内部系统地址总线与22根外部地址总线的关系
4510通过设定寄存器EXTDBWIHD的值可以支持同外部存储器的8、16、32位接口，而SA［25:0］到ADDR［21:0］的地址译码就是依赖于这个不同接口的数据宽度。当4510发出字访问信号时，存储系统忽略低2位SA［1:0］，即SA［2］与ADDR［0］相连，依次类推，直到SA［23］与ADDR［21］相连，同理当发出半字访问信号时，存储系统忽略低位SA［0］，即SA［1］与ADDR［0］相连，依次类推，这样做的目的就是在原理图设计时4510的地址总线可以方便地与存储器的地址总线一一对应连接即可。
2.4.SDRAM的寻址问题
以SDRAM芯片HY57V1620HG为例说明。该芯片的内部存储组织是4Banks*1M*16Bit，即共有4个Banks，每Bank中有1M个半字（16Bit）。因为该芯片引脚中有行地址锁存引脚＃RAS和列地址锁存引脚＃CAS，所以我们可以把每Bank看作如下图所示的一张存储单元阵列表格。其中每一个表格代表16Bit的数据存储单元。在实际工作中，首先Bank地址与相应的行地址是同时发出的，然后再同时发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这时我们就先后选中了Bank、行地址和列地址，因此也就唯一确定了该存储单元阵列表格中的一个存储单元。至此我们就能明白了仅用它的12根地址线却能够访问8MB地址空间的问题。
3.存储系统接口电路具体设计
从2.2节的分析可以知道所谓的片选信号对4510来说就是存储器组选择信号。4510把nRCS《5：0》用作FLASH的片选信号，把nSDCS［3:0］用作SDRAM的片选信号。从参考文献3看到HY57V1620的LDQM和UDQM两引脚是起到DataInput/OutputMask的作用。存储系统是如何利用这两个引脚的呢？当4510执行内存中半字数据读取指令LDRH、字节数据读取指令LDRB等指令时，这两个引脚就发挥作用了。例如当执行LDRB时，4510就会发出控制信号使得SDRAM1的UDQM、SDRAM2的LDQM和UDQM有效，就是它们把32位数据中的高24位屏蔽掉，从而进行字节读取。LDQM是Low（byte）DQMask的缩写。UDQM则是Upper（byte）DQMask的缩写。DQ指SDRAM的输入/输出数据。
上图是存储系统电路原理图。两片HY57V1620的并联设计是为了充分发挥32位MPU的性能
4.存储系统在嵌入式操作系统uClinux中的实现与配置