图3：FRAM原子结构 图4：FRAM数据状态
FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取时间的周期。
图5：FRAM读/写周期
FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。
关于存储技术就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
图3：FRAM原子结构 图4：FRAM数据状态
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