磊晶：
砷化？磊晶依制程的不同，可分为LPE（液相磊晶）、MOCVD（有机金属气相磊晶）及MBE（分子束磊晶）。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极体，而MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。
其过程首先是将GaAs衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简MOCVD，又称外延炉），再通入III、II族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属（V或VI族元素）的氢化物（或烷基物）气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米（1毫米=1000微米）的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后，通电就能发出？色很纯的单色光，如红色、黄色等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的？色和亮度。其实，在几微米厚的外延层中，真正发光的也仅是其中的几百纳米（1微米=1000纳米）厚的量子阱结构。
反应式： Ga（CH3）3 PH3= GaP3CH4
责任编辑：ct
关于LEDs就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。