首先从理论上分析MOS管选型是否合理，从MOS管的规格书上获取MOS管的参数，包括导通电阻、g、s极的导通电压等。
在确保实际驱动电压大于导通电压的前提下，如果负载电流为I，则MOS管在导通状态下消耗的功率为I*I*RDS(on)。
比如MOS管的导通电阻是100毫欧，负载电流为10A，则MOS管消耗的功率高达10W。
一般的TO220封装的器件，耗散功率为0.5W，温升都可能达到50度，高达几瓦的耗散功率的选型是不合理的。
1A以内的负载电流可以选择导通电阻几百毫欧的MOS管。
1A-5A的选择导通电阻几十毫欧的MOS管。
5A以上的应该选择导通电阻为几毫欧的MOS管。
尤其需要注意的是，如果MOS管开关频繁，比如通过PWM信号控制MOS管的开关，需要根据PWM的频率控制GS极驱动信号开关瞬间的上升下降时间，G极的限流电阻不能太大，GS极之间不能并电容，同时需要用推挽输出的信号控制MOS管的通断。
从MOS管的规格书中，我们可以得到G、S之间寄生电容以及导通电阻，以我们自己使用的NCV8401为例，
其寄生电容为，导通电阻为30mΩ，C1大概为100pF左右。
如果我们选择1kΩ的驱动电阻，R2，C1的时间常数为100ns，假设开关电源的频率为1MHz。
则DS极间的电压和流过DS的电流的曲线大致如下：
假设MOS关断时，DS极之间的电压为311V，导通时流过DS极的电流为1A。
则在一个周期1us内，上升和下降沿消耗的能量之和大概为1A*311V*100ns*2 (完全关闭或者打开以2倍时间常数计)，平均消耗的功率为62.2W。
在完全导通的时间内消耗的能量为1A*30 mΩ*1A*(1us-400ns)，平均消耗的功率为18mW。
可见开关过程消耗的功率远大于完全导通时消耗的功率。
所以我们需要减少驱动电阻，当我们将驱动电阻减小到100Ω时，上升、下降时间相应减少到原来的1/10左右，功耗大概降到6W。