场效应管k3532用什么型号代换
晶体管的代换可以分为型号代换和参数参考代换，由于各种原因，参数代换更为方便简单
a、型号代换要考虑到每个国家和每个厂商的命名方式不同。
例如题目 的K3532，日本型号2SK3532。
b、参数代换
1、首先查出参数
2SK3532-01MR,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω。重要参数,N场,900V,6A
2、根据这个参数你可以找出接近参数的场效应管替代
例如
2SK3534-01MR,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
同样N场和900V，电流7A，大于原来的6A。完全可以代换；
2SK3679-01MR,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.58Ω
2SK4005-01MR,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
FMV09N90E,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
KHB9D0N90F1,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
FMV06N90E,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
FMV07N90E,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
FMV09N90E,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
KIA9N90,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,
AOTF6N90,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.2Ω
2SK4014,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,6A,2Ω
2SK3799,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,8A,1.3Ω
TMPF9N90G,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
场效应管mgd622用什么代换
场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。
场效应管cs8n60参数：8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管8N60C的参数及代换
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
场效应管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
参考资料来源：百度百科-场效应管
参考资料来源：百度百科-FQPF8N60C
请教场效应管的替换原则
笔记本是电路是数字最路,MOS N/P相同的上管对上管代 下管对下管代 笔记本最高电压多少V 电路板上所有的MOS饱和电压完全的超过了笔记本电路的电压值, 上下管是不同的,下管MOS多了一个稳压管,也就是图上的稳压二极管<下管的内部结构>
请教场效应管的替换原则、场效应管代换，就介绍到这里啦！感谢大家的阅读！希望能够对大家有所帮助！