8050三极管参数的介绍

8050三极管参数:耐压25V,电流:500mA,800mA,1500mA三种,比如长电科技的这三种的型号,分别是S8050,M8050和SS8050.

s8050三极管参数

s8050三极管基本参数:

类型:NPN。

集电极耗散功率Pc:0.625W(贴片:0.3W)。

集电极电流Ic:0.5A。

集电极-基极电压Vcbo:40V。

集电极-发射极电压Vceo:25V。

集电极-发射极饱和电压Vce(sat): 0.6V。

特征频率f: 最小150MHz。

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。

放大倍数:B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。

管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B。

S8050是一款小功率NPN型硅管,集电极-基极(Vcbo)电压最大可为40V,集电极电流为(Ic)0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。

扩展资料

理论原理:

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo。

参考资料来源:百度百科-S8050

参考资料来源:百度百科-三极管

s8050DH三极管参数

CE结耐压30V,最大电流1A。

8050三极管参数三极管8050参数

三极管8050参数

类型:开关型; 极性都是NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

三极管8050的引脚参数,谁

S8050,NPN三极管,平面向上,左到右分别为为EBC极

D8050则是ECB极

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