今天小编要和大家分享的是放大器相关信息，接下来我将从电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器，双频手机信号放大器这几个方面来介绍。
放大器相关技术文章电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器
电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器
电路的能功
要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应以及很高的转换速度。
输出级的功率元件选用了功率MOSFET，以求改善高频特性和防止因负载异常而损坏元件。
电路工作原理
本电路由四部分组成，输入级为NPN晶体管差动放大器和PNP晶体管差动放大器双差动电路，两个放大器平衡输出，并驱动电压放大级。
电压放大级是决定输出幅度和转换速度的重要部件，应尽可能在大偏流下工作。因TT5、TT6的集电极-基极间无须加相位补偿电容，所以能够减少转换速度的下降。
TT7是偏压电路，用来消除输出级基极电压静区，用VR2可以调整输出级无信号电流。
TT8、TT9是用来限制输出级最大漏极电流的电路，起到负载短路保护作用。R10、R21对R17两端电压进行分压，该电压如超过0.5V，晶体管就会导通，由TT8吸收TT10的基极电流，从而使电流限制在一定范围内。
输出级使用的功率FET，虽然转换速度很高，达10~25NS，但用于放大电路时，输入电容很大，必须大功率驱动。所以用TT10、TT11构成射极输出电路，进行强力驱动。输出级栅极的R25和R15用于防止高频振荡。在稳定度允许的范围内，R25、R26的阻值应尽可能小。
应用注意事项
虽然本电路是以驱动50欧负载为目标进行设计的，但也可以驱动阻值更低的负载，焦点是输出级的允许损耗功率。VCO=140V时，不能在大漏极电流条件下工作，所以设计电路时降低电源电压。
用来确定输入级工作电流的电阻R7、R8，输出级的淅极电阻R27、R28阻值分别为其负载电阻的1/10~1/20。用VR2将放大级偏流调至0.1A左右。
关于放大器就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。