简单的反激式转换器拓扑结构原理图解
图1为一个最简单的反激式转换器拓扑结构，并且包含以下寄生元件：
如初级漏电感、MOSFET的寄生电容和次级二极管的结电容。
图1包含寄生元件的反激式转换器拓扑图
该拓扑源自一个升降压转换器，将滤波电感替换为耦合电感，如带有气隙的磁芯变压器，当主开关器件MOSFET导通时，能量以磁通形式存储在变压器中，并在MOSFET关断时传输至输出。由于变压器需要在MOSFET导通期间存储能量，磁芯应该开有气隙,基于这种特殊的功率转换过程，所以反激式转换器可以转换传输的功率有限，只是适合中低功率应用，如电池充电器、适配器和DVD播放器。
反激式转换器在正常工作情况下，当MOSFET关断时，初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和(Vin+nVo)时，次级二极管导通，初级电感Lp两端的电压被箝位至nVo。因此初级总漏感Lk（即Lkp+n2×Lks)和Coss之间发生谐振，产生高频和高压浪涌，MOSFET上过高的电压可能导致故障。