今天小编要和大家分享的是测量仪表相关信息，接下来我将从采用基于字的检测方法对单向双端口SRAM进行测试，stm32f765的fmc使用sram问题这几个方面来介绍。
测量仪表相关技术文章采用基于字的检测方法对单向双端口SRAM进行测试
引 言
单向双端口SRAM是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了SRAM的性能。本文分析了单向双端口SRAM的失效模式，并描述了相应的基于字的检测算法。
存储器模型
图1表示了3×3的单向双端口SRAM模块的结构示意图，输入为读地址总线、写地址总线和输入数据总线，输出为输出数据总线。每一个存储单元都有四个端口，分别是数据写入（BW），数据读出（BR），写地址端口（WA）和读地址端口（RA）。在这种结构中，同一列单元的数据写入端和读出端连到总线上，输出采用了线与的方式。对于字长大于1的存储器来说，读地址和写地址一次选中一行，一行中所有的存储单元 组成字，读写都是基于字的操作。由于读写总线分离，可以通过读地址和写地址选中不同的字，实现同时读写。
失效模型
存储器的失效表现为单元不能被正确地写入和读出，失效模型表示引起失效的原因。设计不当、制造工艺引入的缺陷和硅片上的点缺陷都会引起存储器的失效。失效使电路的结构发生变化，通过模拟分析出电路失效行为，上升到功能级，总结出功能失效模型。单向双端口SRAM的失效模型可以分为单元失效，单元耦合失效，地址译码失效，同时读写失效和复合失效。