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存储技术相关技术文章LPDDR5标准带来的变化详解
2019年2月，JEDEC正式发布LPDDR5全新低功耗内存标准，即Low Power Double Data Rate 5。相较于LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200MT/s提升到6400MT/s，速度直接翻番。如果匹配高端智能机常见的64bit BUS，每秒可以传送51.2GB数据；如果匹配PC的128bit BUS，每秒可突破100GB数据。
固态协会认为，LPDDR5有望对下一代便携电子设备（手机、平板）的性能产生巨大提升，为了实现这一改进，标准对LPDDR5体系结构进行了重新设计，转向最高16 Bank可编程和多时钟体系结构。同时，还引入了数据复制（Data-Copy）和写X（Write-X）两个减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗，前者可以将单个阵脚的数据直接复制到其它针脚，后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。
另外，LPDDR5还引入了链路ECC纠错，信号电压250mV，Vddq/Vdd2电压还是1.1V。
常程从三方面对LPDDR5进行了解释：
1.多车道Bank Group架构
LPDDR4x仅支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，更多的Bank Group相当于数据传输从单车道变为多车道，增加更多的并行数据通路，提升数据传输带宽。
2.速率跨越式升级最多可达50%性能提升
得益于多Bank Group模式，与上代LPDDR4x相比，LPDDR5的数据传输速率从4266Mbps提升至5500Mbps，传输带宽从34GB/s提升到了44GB/s，这是人类历史目前最高速率的内存规格。未来，这一速率还会提升到6400Mbps，带宽提升到51.2GB/s，提升50%之多。
3.超低功耗
LPDDR5内部有三组电压：VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分为VDD2H和VDD2L，VDD1和VDD2属于Core电源，VDDQ属于I/O接口电源。相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，另外还有新加入的DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作时切换至更低的0.9V和0.3V电压，进一步降低功耗。
与之相比，LPDDR4x器件在高速工作时，时钟为2133MHz，且需要一直保持在这样的状态，无形中会增加功耗。而LPDDR5器件修改了这一设计，LPDDR5的时钟只有800MHz，而在数据有读写操作时，会有一个WCK信号，这个WCK信号会达到最大工作频率，当读/写工作停止时，WCK信号也会停止，从而降低功耗。