TTL与非门电路结构怎么看
几十年前，半导体技术相对落后，人们为了组成逻辑电路，都是利用二极管（D）与三极管（T）来组成DTL逻辑电路。随着半导体集成电路技术的不断提升，人们把与门的输入端的二极管取消了，直接利用多发射极半导体三极管来代替二极管（D）,于是就产生了TTL（三极管T与三极管T）与非门电路。
与非门电路是由与门电路和非门电路结合组成的。
与门电路的特性是，只有当所有的输入都为高电平时，才有信号输出的的电路叫与门电路。
所谓“非门”电路，实际上是一个共发射极开关放大器（俗称；反相器）。
与非门电路，它由三部分组成。（详细见下图）
①输入级；输入级由多发射极晶体管T1，二极管D1、D2和电阻R1组成。
②中间级；中间级由T2，R2和R3组成。T2的集电极、C2和发射极E2分别提供两个相位相反的电压信号。
③输出级；输出级由D3、T4、T5和电阻R4组成。T4与T5组成一个推挽式输出结构电路。它具有较强的负载能力。
从电路结构示意图来了解，TTL与非门不难看出；与非门电路的输入端至少有一个（假设A端）接低电平，0.3Ⅴ，（B点输入为3.6V高电平）。T1晶体管的A端发射结导通，UB1=UA+UBE1=1V，其它发射结反向偏置截止。因为UB1=1Ⅴ，所以T2，T5截止，UC2≈Ucc，T4晶体管工作在放大状态，于是电路中的F点（Uo）输出高电平（5-0.7-0.7）Ⅴ=3.6Ⅴ。
当T1的输入端（A、B两点）
全接入高电平，即T1，UB1=UBc1+UBE2+UBE5=0.7ⅹ3=2.1Ⅴ时，T1的发射结反向偏置，集电极正向偏置，它工作在倒置放大状态，并且T2，T5三极管工作在饱和状态下，T4，UC2=UcEs2+UBE51≈1Ⅴ截止，T5处于深度饱和状态，则电路F（Uo）输出为低电平，Uo=0.3V。
当输入端A、B全部接高电平时，则F点（Uo）输出为低电平。T1→处于倒置放大状态，T2→处于饱和状态，T4→处于截止状态，T5→处于深度饱和状态。
当输入端至少有一个接为低电平时，输出Uo则为高电平，T1→处于深度饱和状态，T2→处于截止状态，T4→处于放大状态，T5→处于截止状态，由此可见，电路的输出与输入之间满足TTL与非门电路的逻辑关系，（F=AB）。