今天小编要和大家分享的是高压包作用 高压包与相关的关键词及专业术语，接下来我将从高压包的作用，与高压包相关的关键词及专业术语，如何判断高压包是否损坏，改高压包的准备工具，这几个方面来介绍。
高压包的作用高压包，正名是行输出变压器，也称为行包或行变，显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致，其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包，而是S校正电容，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状
高压包的作用
高压包，正名是行输出变压器，也称为行包或行变，显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致，其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包，而是S校正，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。
与高压包相关的关键词及专业术语
1、HV--阳极高压。随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到25KV；17寸机是27KV到29KV，19寸和21寸机是30KV到35KV。
2、FV--聚焦电压，有时称为G4。FV电压通常在HV端以（MF10型）或兆欧表，就可测量ABL端到HV帽的电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。
12、初次级绕组--接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈，其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包的线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。
13、电感量--交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言，线圈的阻抗为零（忽略线材本身的电阻率），但对于高频信号，三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML（毫亨）。
14、正程和逆程--简单的说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。
15、正程和逆程整流--由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同的整流方式，所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大；逆程整流的电压高而电流小，但两者的输出功率相同。
16、绕组的极性--因为扫描正程和逆程的峰值不同，绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动，那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的；如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边的线头是正端，右边的线头是负端。将负端接地，在正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；将正端接地，在负端接以正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。
17、高压独立--高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型的设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效的电路形式，实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。
18、高压独立的电路结构--现在的高压独立电路大约有5种类型。
1）采用二次电源调整的单管输出形式。如下图，以SONY-200GS为例，170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独的场效应管，这种方式与传统的行输出相类似。
2）没有二次电源的单管输出形式。如下图，以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压包，开关管是一只单独的场效应管，这种方式要求开关管的激励控制电路，能控制较大的占空比，以得到较大的高压调整范围。
3）采用高电压的双管对称输出方式。如下图，以EMC/CTX等机型较多采用，180V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反接一只p型场效应管，输入反相的激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。
4）采用低电压的双管对称输出方式。如下图，以飞利浦机芯较多采用，80V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。
5）采用储能变压器的双管输出方式。如下图，这种方式最为复杂，以三星、DELL机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化的方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正的开关管是场效应管。
19、高压独立高压包的绕组特点--由于在高压包内的电流近似于方波，效率很高，它的初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程的差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同，与上述15、16项对比，无论绕组在哪头接地，无论正整流还是负整流，所获得的电压值基本一样（类似于市电的交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高的电压，在800*600*60分辩率下，每圈的电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。
如何判断高压包是否损坏
根据高压包病灶的6个类型，损坏后的症状略有不同。
1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因，大约有四成的高压包损坏与它有关。包内高压电容的容量约为2700p，比显象管锥体所形成的电容1600p高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300p以上，可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10K档，测高压帽对地或对HVC端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，ABL端子所外接的电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏的明显表徵。
2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全的。
3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流的交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成的表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，ABL电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表，将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽，正常时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通的内阻），将表笔对调，测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。
4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。
5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。
6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电，HV电压瞬间下降，势必造成图像亮度及大小变动，甚至锁机或烧行管等。
改高压包的准备工具
1、电容电感表。最要紧的是电感表，可以测量原包与改包的绕组电感量，如果两者所有绕组电感量相差在10[%]以内，则成功率非常高。
2、万用表。最好配备有100K电阻量程的表，可以测量高压硅堆是否正常。
3、50V/2A的外部直流隔离电源。之所以用50V的电压，是因为该电压值较安全之余，还能产生勉强够的高压，让屏幕有显示，如果还有其它的故障隐患，便可在故障扩大之前看到并加以解决。
关于高压包,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。