mos管电压极性和符号规则

图1-4-A 是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。

在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接,所以在符号的规则中;表示衬底的箭头也必须和源极相连接,以区别漏极和源极。图1-5-A是P沟道MOS管的符号。

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同,N沟道的类似NPN晶体三极管,漏极D接正极,源极S接负极,栅极G正电压时导电沟道建立,N沟道MOS管开始工作,如图1-4-B所示。同样P道的类似PNP晶体三极管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,P沟道MOS管开始工作,如图1-5-B所示。

mos管电压极性和符号规则

图1-4-A N沟道MOS管符号

mos管电压极性和符号规则

图1-4-B N沟道MOS管电压极性及衬底连接

mos管电压极性和符号规则

图1-5-A P沟道MOS管符号

mos管电压极性和符号规则

图1-5-B P沟道MOS管电压极性及衬底连接

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