DS18B20芯片使用心得
（1）对TH（高温触发寄存器）和TL（低温触发寄存器）的操作心得
针对于DS18B20中TH（高温触发寄存器）和TL（低温触发寄存器），可以找到的代码资料很少，而如果在某一测温系统中需要用到TH和TL寄存器 时，其实不必觉得无从下手，参见本帖中的“DS18B20寄存器结构”，总线控制器的读操作将从位0开始逐步向下读取数据，直到读完位8，而且TH和TL 寄存器的内部结构和数据格式和片内其他寄存器是相同的，当然，针对TH和TL寄存器的读写和其他片内寄存器的读写也是相同的，所以在实际应用中，当 DS18B20初始化完成后，首先通过总线控制器发出的〔B8H〕指令将EEPROM中保存的数据召回到暂存器的TH和TL中，然后通过总线控制器发出的 “读时隙”对器件暂存器进行读操作，只要将读到的每8bit数据及时获取，就可以很容易地通过总线控制器读出TH和TL寄存器数据;总线控制器对器件的写 操作原理亦然，换句话说，只要掌握了其他寄存器的操作编程，就完全可以很容易地对TH和TL这两个报警值寄存器进行读写操作。同时，可以通过〔48H〕指 令将TH和TL寄存器数据拷贝到EEPROM中进行保存。
（2）对DS18B20通讯时隙的掌握心得
在由 DS18B20芯片构建的温度检测系统中，采用达拉斯公司独特的单总线数据通讯方式，允许在一条总线上挂载多个DS18B20，那么，在对DS18B20 的操作和控制中，由总线控制器发出的时隙信号就显得尤为重要。如下图所示，分别为DS18B20芯片的上电初始化时隙、总线控制器从DS18B20读取数 据时隙、总线控制器向DS18B20写入数据时隙的示意图，在系统编程时，一定要严格参照时隙图中的时间数据，做到精确的把握总线电平随时间（微秒级）的 变化，才能够顺利地控制和操作DS18B20。另外，需要注意到不同单片机的机器周期是不尽相同的，所以，程序中的延时函数并不是完全一样，要根据单片机 不同的机器周期有所改动。在平常的DS18B20程序调试中，若发现诸如温度显示错误等故障，基本上都是由于时隙的误差较大甚至时隙错误导致的，在对 DS18B20编程时需要格外注意。
上电初始化时隙图
数据读取时通讯总线的时隙图
数据写入时通讯总线的时隙图
