二极管伏安特性曲线实验报告
如下图所示为测试二极管伏安特性的原理电路，改变可变电阻的大小，就可以测出不同数值的端电压下流过二极管的电流，从而得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。其中曲线右上方是正向特性，是由下图a所示电路测得，左下方是方向特性，是由下图b所示电路测得。
如下图所示的两条曲线，是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线，曲线可分三部分来说明。
正向特性：当外加正向电压较小时，正向电流很小，二极管呈现出较大的电阻（图中OA段和OA’段）；正向电压超过某一数值（UD称为其实电压或死区电压，硅管为0.6到0.8伏，锗管委0.2伏），电流随着电压增加得很快（图中的AB段和A’B’段）。但增加的电流不能超过二极管允许电流，否则二极管会被烧坏。
反向特性：加上方向电压时，只有很小的反向电流，并且它基本上不随电压变化，如曲线上Cd段和C’d’段，这种电流称为反向饱和电流。反向饱和电流随着温度升高而增长很快。
反向击穿电压：当反向电压超过某一数值的时候，反向电流突然猛增，这种现象称为反向击穿，如曲线e和e’以下的部分。对应于e点的电压称为击穿电压