今天电工小雨要和大家分享的是功放机的功放管怎样把晶体管改成场效应管相关信息，接下来我将从功放机的功能介绍这几个方面来介绍。
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场效应管特点驱动电压幅值很高，在线性区要5V～7V，是BJT管的8～10倍，并且VMOS场效应管输入阻抗很低，是个纯容抗，电容达3000pf左右，所以必须把驱动信号转变为极低输出阻抗(不大于600Ω)的电压源，换句话说，较高电压的电势源才可以驱动VMOS功率管。这是主要的，其它的不少电路都要改变设计计算，不一一说了。
单纯的改没有意义，场管和三极管的内部电容不一样，一个是电流驱动，一个是电压驱动，对于三极管需要大的推动管电流来驱动也许10ma-30ma左右，以便推动功率管正常工作，而对于场管就不要那么大的电流了，然后是电压放大和输入级的不同，场管更追求电压和末级电流来使工作状态达到最佳，而三极管的则不要那么大偏置电流。另外偏置部分也需要改造，一般三极管的上位电阻低，场管需要10-20k的上位电阻，再一个补偿的不同，还有稳定性的B G电阻不同，三极管几欧到50欧，场管100欧到1k,因此同一个电路适应两种功率管是不太可能的，必须调整各个部件的值负荷工作状态。最影响功率输出的放大倍数，最佳区域场管和三极管也不同，需要变，没有只是满足偏压那么简单。
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