• 回收变压器泄露能量
众所周知，有源钳位反激（ACF）是一种能同时满足上述两条要求的拓扑。软开关工作可以避免开通损耗，实现相对较高的开关频率（通常高于120kHz）。此时，剩余的影响MOSFET的主要损耗机制只有关断损耗、传导损耗和所谓的“Coss滞回损耗”——将在下一节中讲述。
Coss滞回损耗
如前所述，要想以高密度适配器通常使用的相对较高的开关频率进行高效地工作，必须使用软开关技术。软开关技术能让器件实现零电压开关（ZVS），也即MOSFET只有在漏源电压达到0V（或者接近0V的值）时才能开通。这种模式可以避免在总开关损耗中通常占据主导地位的开通损耗。遗憾的是，由于输出电容的“非无损”特性，所有高压超结（SJ）MOSFET都面临一种额外的损耗。也就是说，当MOSFET输出电容（Coss）经过充电然后再放电时，会有部分能量受到损失，因此即使在ZVS条件下工作，也无法恢复存储在输出电容中的全部能量（Eoss）。这种现象与Coss的滞回特性有关，在0V到100V之间完成一个Coss充放电周期时，借助大信号测量即可观察到这种现象，如图2所示。这就是这类损耗通常被称为Coss滞回损耗（简称为Eoss，hys）的原因。