图2：Coss的滞回特性。
由该损耗机制引起的功率损耗取决于：
技术：当芯片尺寸乃至RDS（on）相同时，不同技术的Eoss，hys不同，比如CoolMOS PFD7和CoolMOS P7的Eoss，hys就不同。
击穿电压：对于同样的技术，Eoss，hys随电压等级的提高而增加，也即650V器件的Eoss，hys通常比基于相同技术的600V器件大。
开关频率fsw：由于Coss的充放电周期在每个开关周期内都会发生一次，因此由该损耗机制引起的功率损耗与开关频率（fsw）成正比。
RDS（on）等级：这个损耗不仅会影响器件的Coss，而且取决于芯片尺寸，也即对于同样的技术，RDS（on）较小的MOSFET会表现出较大的Eoss，hys损耗。