600V CoolMOS PFD7与CoolMOS P7相比，Coss滞回损耗降低了41%，从而使软开关应用中的效率得到显著提升。
MOSFET损耗的主要来源
为了更好地估计Coss滞回损耗对最终应用的影响，可以通过仿真和计算来确定击穿损耗。图3以基于ACF拓扑的65W适配器为例，显示了在低输入电压和满载情况下（如前所述，从壳温的角度来看，这是适配器最为关键的工作点），不同损耗机制对高边（HS）和低边（LS）MOSFET总损耗的影响。ZVS经过优化，可以降低总系统损耗，即在25V时导通低边MOSFET（部分ZVS模式），而高边MOSFET工作在完全ZVS模式下。
图3：就65W适配器而言，不同损耗机制对高边（HS）和低边（LS）MOSFET总损耗的影响。