ADI负责电源管理/数字电源/iCoupler应用的专家Bernhard Strzalkowski博士就曾撰文指出，在高度可靠、高性能的应用中，隔离式栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损，由于功率密度极高，所以在制作驱动器芯片时需要保证即使芯片本身出现故障仍然能够保持电隔离。为此，他进行了专门的破坏性试验试验：即在最坏的情况下，高功率MOSFET/IGBT发生故障时逆变器几千μF的电容组会快速放电，释放的电流会导致MOSFET/IGBT损坏、封装爆炸、等离子体排出到环境中，一部分进入栅级驱动电路的电流会导致电气过载。试验结果证明，在最坏的情况下，对输出芯片施加高功率时，驱动器输出引脚附近会出现小范围损坏，这个试验不会影响隔离的耐受性能。
新基建风口下的大功率普及趋势，如何为充电桩“赋能”？
前不久国网营销部印发的2020年智能用电专业工作要点中，明确了国网对于2020年充电设施的发展规划，且提及多项储能相关任务目标，包括紧密跟踪分布式光伏、储能政策、技术、产业发展，研究对电网的影响以及电动汽车、客户侧储能、分布式电源参与的负荷平衡，等等。而前不久新疆自治区发展改革委印发《关于加快充电基础设施综合体建设的通知》也有类似的表述，鼓励投资单位以充电桩设施+分布式能源+储能项目+商业综合体方式投资。