解决方案
目前市场上的手机PA主要使用砷化镓（GaAs）技术。几年前，OEM将射频开关等制造工艺从GaAs和蓝宝石（SoS）迁移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的变体，随着RF开关变得越来越复杂，这两种工艺变得太贵了。
FD SOI适用于数字应用，而与FD-SOI类似，RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层，能够实现高击穿电压和低漏电流。
Global Foundries RF业务部门主管Peter Rabbeni表示：“移动市场继续看好RF SOI，因为它能够在宽频率范围内提供低插入损耗、高线性，实现了良好的性能和成本效益。”
今天，Skyworks，Qorvo等公司提供基于RF SOI的射频开关，而RF开关制造商使用代工厂来制造这些产品。Global Foundries、意法半导体、Tower Jazz和联电是RF SOI代工业务的领军企业。目前常见的RF SOI工艺，涵盖从180nm到45nm的节点和不同的晶片尺寸。决定使用哪一个节点取决于具体应用。联电公司业务管理副总裁吴坤表示：“关于RF SOI技术的具体化，一切都是从技术性能、成本和功耗的角度来考虑适用于终端应用的技术解决方案。”
即便有多种选择，RF开关制造商也面临一些挑战。RF开关本身包含场效应晶体管（FET）。与大多数器件一样，FET受到不需要的沟道电阻和电容的影响。在RF开关中，FET被堆叠使用。通常而言，当今的RF开关中堆叠了10到14个FET。据专家介绍，随着FET数量的增加，器件可能会遇到插入损耗和电阻带来的相关问题。