另一个问题是寄生电容。Skyworks在2014年发表的一篇题为《RF应用中SOI工艺的最新进展和未来趋势》的文章中表示，“在RF开关中，30%或更多的寄生电容来自于器件中的互连。互连包括金属层或bonding线，也包括基于RF SOI的开关。
目前RF开关的主流制造工艺是200mm晶圆的180nm和130nm节点。许多（但不是全部）互连层基于铝材质。铝导体在IC行业使用多年，价格便宜，但也具有较高的寄生电容。
因此，铜被用于RF器件中一些特定层。铜是更好的导体，并且电阻小于铝。Ng表示：“用于130nm RF CMOS工艺产品的传统金属堆叠包括具有成本优势的铝互连层和具有性能优势的铜互连层。”这是平衡成本和性能的最佳解决方案。RF SOI解决方案通常包含一定数量的铝金属层和一个或多个铜层。通常，在顶层上使用铜作为超厚金属层，帮助改善无源器件性能。他说：“最好是铜这样的厚顶层金属，它能够最小化损耗，从而提高性能。”
最近，RF SOI 代工厂已经从200mm晶圆迁移到300mm晶圆，其工艺节点也从130nm迁移到45nm。通常，300mm晶圆厂只使用铜互连。只使用铜互连，RF开关制造商可以降低电容。但是，300mm晶圆提高了制造成本，从而在市场上造成一些矛盾。一方面，成本敏感的手机OEM厂商需要RF开关保持较低的价格。另一方面，RF开关设备制造商和代工厂希望能够保持利润。