“今天，只有极少的RF SOI器件采用300mm晶圆，”Ng说。“这种情况的出现有很多原因，包括300mm RF SOI衬底的成本/可用性，以及支持后硅处理的基础设施等因素。但是我们预计在未来几年内，这些挑战将会在很大程度上得到解决，然后大部分大批量的RF SOI应用将会迁移到300mm晶圆上。”在此之前，行业可能会面临300mm的供需问题。“我们认为，在更多的生产迁移到300mm晶圆之前，市场将一直面临供不应求的挑战。产能上马有多快，需求有多大，都将反映在供需矛盾上。”他说。
Global Foundries希望在5G竞赛中脱颖而出，最近为5G应用推出了45nm RF SOI工艺。该工艺利用了高电阻阱富集的SOI衬底。
5G是4G网络的升级。LTE网络频段介于700 MHz到3.5GHz之间。而即将到来的5G不仅需要在LTE频段存在，而且还将在10 GHz至100 GHz之间的毫米波段内运行。5G将数据传输速率提高到10Gbps以上，即LTE的100倍。但5G的大规模部署预计得到2020年及以后了。
无论如何，5G需要一个新的器件工艺。“（45nm RF SOI）主要是为了满足5G毫米波前端的应用，需要集成了PA、LNA、开关、移相器，以实现5G的主要功能：波速赋形 beam forming”GlobalFoundries的Rabbeni说。
当然5G射频前端还有其它的解决方案，RF MEMS就是其中一种可能。其他的潜在工艺还包括比如说，Tower Jazz和加利福尼亚大学圣地亚哥分校最近展示了一个12Gbps的5G相控阵芯片。该芯片组采用了Tower Jazz的SiGe BiCMOS技术。