此外，因为较高的频率会降低每个基地台的覆盖范围，所以需要安装更多的晶体管，进而带动 GaN 市场规模将迅速扩大。
GaN 组件产值目前占整个市场 20% 左右，Yole 预估到 2025 年比重将提升至 50% 以上。
（数据源：yole；图：西南证券）不同材料的市场比重分布
GaN HEMT 已经成为未来大型基地台功率放大器的候选技术。目前预估全球每年新建约 150 万座基地台，未来 5G 网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微型基地台，这将刺激 GaN 组件的需求。
此外，国防市场在过去几十年里一直是 GaN 开发的主要驱动力，目前已用于新一代空中和地面雷达。
手机中基石 -GaAs
GaAs 作为最成熟的化合物半导体之一，是智能手机零组件中，功率放大器 （PA） 的基石。
根据 StrategyAnalytics 数据显示， 2018 年全球 GaAs 组件市场（含 IDM 厂组件产值）总产值约为 88.7 亿美元，创历史新高，且市场集中度高，其中 Qorvo 的市场份额占比为26%。
由于 GaAs 具有载波聚合和多输入多输出技术所需的高功率和高线性度，GaAs 仍将是 6 GHz 以下频段的主流技术。除此之外，GaAs 在汽车电子、军事领域方面也有一定的应用。
总结上述这些 III-V 族化合物半导体组件具有优异的高频特性，长期以来被视为太空科技中无线领域应用首选。
随着商业上宽带无线通信及光通讯的爆炸性需求，化合物半导体制程技术更广泛的被应用在高频、高功率、低噪声的无线产品及光电组件中。同时也从掌上型无线通信，扩散至物联网趋势下的 5G 基础建设和光通讯的技术开发领域。作为资深的射频专家，Qorvo在这个领域有深入的研究。