* 应该寻求面向先进CMOS技术的测试设备和技术。例如，利用更好的方法刻画热应力松弛过程中的过孔应力迁移（VSM），以便在50小时等温测试的3/4时间内都获得良好结果。这种新技术通过在最大蔓延速率范围内的温度循环和跟踪较小阻抗偏移来改进故障统计结果。在FEOL进行的参数测试可能会继金属测试之后完成，从而将工艺控制反馈时间缩短50%或更多。
* 应该进行脉冲型直流应力测试，以便获得更多样的数据，并在频率制约电路中获取更易理解的动态现象和器件性能。特别的是，短脉冲测试可以克服栅极泄漏，并在电荷捕获（CT）测量中提供界面捕获密度的准确图像。
* 应该选择具有短脉冲能力的测试系统和包含较新测试方法的软件。这些系统应该有能力在不使用开关矩阵的情况下，对少量引脚提供直流信号和上升时间在纳秒级的脉冲信号支持。
* 应该选择专为大吞吐量射频测试设计的参数测试系统。它们与老式系统有着天壤之别，后者的设计目的主要是面向直流I-V和C-V测量，之后才重新改进用于 RF。新设计可以快速、准确，并重复地提取RF参数，易操作性直逼直流测试，甚至还可以同时进行精确的直流和射频测试。
应该避免的方式
* 不要将测试方式限定为静态直流测试。为了获得准确的CT测试结果，需要进行交流和脉冲直流测试以便限定高k栅电介质。电荷泵等动态应力测量技术，在描述与NBTI、TDDB、HCI和SILC有关的可靠性问题时也是有价值的。
* 不要回避晶圆级的RF参数测试。晶圆公司现在不得不承认，在构建先进IC的过程中，射频s参数的测量至关重要。随着行业转向65纳米或更精密节点，在1到40GHz频率下提取正确的RF参数已经成为RF紧凑模型（compact model）验证的关键。