压敏电阻局部坐标系中的剪切应力。
下图展示了隔膜边缘上的剪切应力。每条边的中心处，局部剪切应力最大，为 38 MPa。
沿两条隔膜边缘的局部剪切应力。
鉴于设备尺寸和掺杂度估算值，在正常运行下，模型输出与制造商数据表中的信息十分吻合。举例来说，在该模型中，施加3 V 的偏压后可以得到 5.9 mA 的工作电流。数据表中记录有一个相似的 6 mA 电流。此外，该模型的电压输出为 54 mV。如数据表所示，设备产生的实际电位差为 60 mV。
最后，让我们看看 Xducer™ 传感器的电流与电压分布详情。参考文献 3 中提到，当电压传感元件中的载流硅线的局部宽度增大时，可能会发生“短路效应”。该效应的本质原因是电流扩散到了 X 形压敏电阻的传感臂中。具体情况请参见下图。此外，下图还突出显示了不对称电位，它也由压阻效应产生的。
3 V 的偏压、100 kPa 压力时，设备的电流密度和电势。
关于MEMS,传感技术就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。