2 工艺消除失配
将处在饱和区的MOS管的特性表述为：
1/2μCoxW/L（VGS-VTH）2。对于两个标称相同的晶体管，μ，Cox，W，L以及VTH之间的失配导致了漏极电流的失配（VGS固定）或栅源电压的失配（漏极电流固定）。直观上可以认为，随着W与L的增加，他们的相对失配，△W／W与△L／L会分别减小，也就是越大的器件表现出越小的失配。一个更重要的观察结果是，随着晶体管面积（W／L）的增加，所有的失配都减小。例如，增大W会使△W／W与△L／L都减小。这是因为随着WL，的增加，随机变化经历更大的“求平均”过程，因此其幅值下降了。对于图3所示的情况，有△L2《△L1。这是因为，如果该器件被看成许多小晶体管的并联，如图3所示，若每一个宽度为W0，那么可以得出等效长度为：
式中：△L0是宽为W0的晶体管长度变化的统计值。等式表明，对于给定的W0，随着n的增加，Leq的变化减小，如图4所示。
上述结论也可以扩展到其他器件参数。例如，假定：器件面积增加，μCox与VTH有更小的失配。如图5所示，理由是，大尺寸晶体管可以分解为宽长分别为W0和L0小单元晶体管的串并联。其中，每个单元都呈现出（μCox）j与VTHj。对于给定的W0与L0，μCox与VTH经历更大的平均过程，致使大尺寸晶体管之间的失配更小。
3 版图方法减少失配
针对电路设计中，特别是全差动电路中的不对称而产生的电路失调，尽管有些失配是不可避免的，但是在版图设计中，可通过器件对称设计，使晶体管方面优化，对所关心的器件及周围环境进行对称性设计，尽量减少因工艺制造原理而引起的失配。
如图6（a）所示，如果两个MOS管按图6（b）那样沿不同方法放置，由于在光刻及圆片加工的许多步骤中沿不同轴向的特性大不一样，就会产生很大失配。因而图6（c）和（d）的方案更合理一些。这两者的选择是由一种称作“栅阴影”的细微效应决定的。