如图7（b）所示，为了避免沟道效应，通常在源一漏离子注入时把注入方向（或圆片方向）倾斜7°左右，这样栅极多晶硅就会阻挡一部份离子，形成阴影区。结果，在源区或漏区就有一条窄区，它接收的注入较小，因而在注入退火之后，使源区和漏区边缘的扩散产生了细微的不对称。
图7（a）给出考虑有栅阴影存在时的结构图，在图中，如果阴影区出现在源区（或漏区），那么这两个器件不会因阴影导致不对称。在图中，即使标出了这两个管子在阴影区的源（或漏）极，这两个MOS管也不一样，这是因为M1管源区的右边是M2管，而M2管源区的右边是场氧。同样，M1和M2左边的结构也不一样。就是说在制造过程中，M1和M2周围的工艺步骤不一致。因此图8所示的结构更好。
图8所示结构固有的不对称性可以通过在晶体管两边加两个虚拟MOS管的方法加以改进，因为这可以使M1和M2管周围的环境几乎相同，如图9所示。
同时，在对称轴的两边保持相同环境也很重要。例如，在版图中，只有一个MOS管旁边有一条无关的金属线通过，这会降低对称性，增大M1和M2之间的失配。在这种情况下，也可以在另一边放置一条相同的金属线（见图10），最好的办法就是去掉引起不对称的金属线。
对于大的晶体管，对称性就变得更困难了。例如，在图11所示的差分对中，为使输人失调电压较小，这两个晶体管的宽度都比较大，但沿x轴方向的梯度会引起明显的失配。为了减小失配，可以采用“共中心”的布局方法。这样沿x轴和y轴方向的一阶梯度效应就会互相抵消。如图12所示，这种布局把M1和M2都分成两个宽度为原来50％的晶体管，沿对角放置且并联连接。然而，在版图上布线很困难，经常会导致如图13所示的系统不对称，或者线对地电容及线间电容的不同而引起整体不对称。对于规模大一点的电路，如运放，则引走线可能过于复杂而无法实现。
