线性梯度效应，也可像图12所示，通过“一维”交叉耦合的办法得到抑制。这里，所有四个宽度为50％的晶体管一字排开，M1和M2可由相邻两个晶体管与相距最远的两个晶体管分别相连构成，也可由两组相间隔的晶体管分别相连构成。
为分析该结构中的梯度效应，假设每两个相邻的半宽晶体管之间的栅氧电容变化为△Cox。将M1a和M4a并联，得到：
因此，这种类型的交叉耦合抵消了梯度效应的影响。若用图13所示的组合可得：
式（4）和式（5）显示，图13所示的方法消除误差的能力较差。
4 结 语
针对CMOS差动放大器晶体管的不匹配，从理论上深刻分析其不匹配原因，介绍电路设计方法和版图设计方法进行失调电压的消除，并对所提出的电路技术进行仿真验证，能够达到降低失调电压的效果。
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