我们知道电子电路正朝着集成电路（IC）化和大规模集成电路（LSI）化这样的方向发展，也就是说我们试图把所有的电子元器件都搭载在一个硅半导体的衬底上，因为在半导体芯片中不仅有二极管，还有三极管和电容要把这些电子元器件焊接集成在一起用常规方法肯定是不行的，这时人们就发挥了创造性的方法，比如在生产芯片时如果要装载二极管、三极管这些电子元器件时就采用了衬底技术、成膜技术、搭载技术以及封装技术等等。通过这些技术的综合应用芯片上的二极管不但能做的很小而且能搭载很多的半导体器件。下面与朋友们聊聊这些电子元器件是如何集成到如此小的芯片中的。
芯片上的二极管等半导体器件制作过程
芯片中的二极管、三极管以及MOS管等这样的半导体器件制作在芯片中，就像唐僧去西天取经一样要经过“九九八十一难”的历练之后才能修成正果。芯片中的这些半导体器件就是需要许多道工艺的加工，最后才能形成功能强大的集成芯片。下面我将它们主要的生产工序与朋友们简单分享一下。
第一道工序是硅单晶的制作，硅单晶的块状物是我们制作硅晶体片的原材料，它的制作方法比较多，比如将高纯度的多晶硅放入石英坩埚中加热使它熔解，然后将颗粒很小的单晶硅浸入融熔状态的硅中，凝固后就可以制作出很大的单晶硅了。
第二步就是硅晶片的制作与加工，也就是把大块的单晶硅切成晶片，这个是把二极管等半导体集成在电路里的基础，我们通常称它为衬底。
第三步就是氧化膜的处理，也就是对晶片的表面进行氧化处理。
第四道步骤就是薄膜的淀积，这主要是为了制作二极管、三极管等半导体器件的电极用的。