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功率器件相关技术文章Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代650V氮化镓 (GaN) 技术
新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用；新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK。
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。