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测量仪表相关技术文章【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四：宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证
从入门到精通，从0到1的全面解密。
作者：泰克科技
第三代宽禁带半导体器件GaN和SiC的出现，推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗，又能处理超高速dv/dt转换，且支持超快速开关切换频率，带来的测试挑战也成了工程师的噩梦。
结合泰克新一代示波器，泰克针对性地推出带宽1Ghz、2500V差模、120dB共模抑制比的全面光隔离探头，提供系统优异的抗干扰能力，帮助工程师进行第三代半导体器件的系统级优化设计。工程师在设计电源产品时，优化上下管的驱动条件，从而保证安全的条件下降低损耗，提高转化效率，可以满足宽禁带半导体器件的测试需求。
TIVH高带宽探头测试
在开关技术应用中的桥式驱动上管测试中，普遍会碰到测试驱动信号的正确测试问题，现象表现为波形振荡变大、测试电压值误差大，不利于设计人员的器件评估和选择，其根本的原因在于所使用差分探头的连接和CMRR共模抑制比规格满足不了测量要求问题。泰克的TIVH_差分探头有效的解决了连接、测量带宽、高频CMRR和驱动小信号测量问题。