今天小编要和大家分享的是控制,MCU相关信息，接下来我将从单片机中的各种复位电路解析，一种上电复位电路制造技术这几个方面来介绍。
控制,MCU相关技术文章单片机中的各种复位电路解析
复位电路由电容串联电阻构成，由图并结合“电容电压不能突变”的性质，可以知道，当系统一上电，RST脚将会出现高电平，并且，这个高电平持续的时间由电路的RC值来决定。典型的51单片机当RST脚的高电平持续两个机器周期以上就将复位，所以，适当组合RC的取值就可以保证可靠的复位。
一般教科书推荐C 取10u，R取8.2K.当然也有其他取法的，原则就是要让RC组合可以在RST脚上产生不少于2个机周期的高电平。至于如何具体定量计算，可以参考电路分析相关书籍。 晶振电路：典型的晶振取11.0592MHz（因为可以准确地得到9600波特率和19200波特率，用于有串口通讯的场合）/12MHz（产生精确的uS级时歇，方便定时操作）
常见的复位电路
80C51单片机复位电路
单片机的复位有上电复位和按钮手动复位两种。如图2（a）所示为上电复位电路，图（b）所示为上电按键复位电路。
单片机各种复位电路大全！
上电复位是利用电容充电来实现的，即上电瞬间RST端的电位与VCC相同，随着充电电流的减少，RST的电位逐渐下降。图2（a）中的R是施密特触发器输入端的一个10KΩ下拉电阻，时间常数为10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升时间不超过1ms，振荡器建立时间不超过10ms，这个时间常数足以保证完成复位操作。上电复位所需的最短时间是振荡周期建立时间加上2个机器周期时间，在这个时间内RST的电平应维持高于施密特触发器的下阈值。
上电按键复位2（b）所示。当按下复位按键时，RST端产生高电平，使单片机复位。复位后，其片内各寄存器状态见表，片内RAM内容不变。
c51单片机复位电路
如S22复位键按下时：RST经1k电阻接VCC，获得10k电阻上所分得电压，形成高电平，进入“复位状态”
当S22复位键断开时：RST经10k电阻接地，电流降为0，电阻上的电压也将为0，RST降为低电平，开始正常工作。