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制造,封装相关技术文章英特尔在2020年架构日上揭秘Willow Cove微架构及全新晶体管技术
在2020年架构日上，英特尔六大技术支柱持续创新，揭秘Willow Cove，Tiger Lake和Xe架构以及全新的晶体管技术。
2020年8月13日 – 在英特尔2020年架构日新闻发布会上，英特尔首席架构师Raja Koduri携手多位英特尔院士和架构师，详细介绍了英特尔在创新的六大技术支柱战略所取得的进展。英特尔推出了10纳米SuperFin技术，这是该公司有史以来最为强大的单节点内性能增强，带来的性能提升可与全节点转换相媲美。
该公司还公布了Willow Cove微架构和用于移动客户端的Tiger Lake SoC架构细节，并首次介绍了可实现全扩展的Xe图形架构。这些创新的架构可服务于消费类、高性能计算以及游戏应用市场。基于英特尔的“分解设计”方式，结合先进的封装技术、XPU产品和以软件为中心的战略，英特尔的产品组合致力于为客户提供领先的产品。
10nm SuperFin技术
经过多年对FinFET晶体管技术的改进，英特尔正在重新定义该技术，以实现其历史上最强大的单节点内性能增强，带来的性能提升可与完全节点转换相媲美。10nm SuperFin技术实现了英特尔增强型FinFET晶体管与Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容器的结合。 SuperFin技术能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺和额外的栅极间距，并通过以下方式实现更高的性能：
- 增强源极和漏极上晶体结构的外延长度，从而增加应变并减小电阻，以允许更多电流通过通道
- 改进栅极工艺以实现更高的通道迁移率，从而使电荷载流子更快地移动
- 提供额外的栅极间距选项可为需要最高性能的芯片功能提供更高的驱动电流
- 使用新型薄壁阻隔将过孔电阻降低了30％，从而提升了互连性能表现
- 与行业标准相比，在同等的占位面积内电容增加了5倍，从而减少了电压下降，显著提高了产品性能。 该技术由一类新型的“高K”（ Hi-K）电介质材料实现，该材料可以堆叠在厚度仅为几埃厚的超薄层中，从而形成重复的“超晶格”结构。 这是一项行业内领先的技术，领先于其他芯片制造商的现有能力。
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