今天小编要和大家分享的是工艺,制造相关信息，接下来我将从基于碳纳米管FET的RISC-V微处理器，众厂商前赴后继入局中国 晶圆市场将迎来爆发这几个方面来介绍。
工艺,制造相关技术文章基于碳纳米管FET的RISC-V微处理器
美国麻省理工学院的研究人员采用碳纳米管晶体管（Carbon Nanotube Transistors）成功研制出16位RISC-V微处理器，其设计流程和工艺均遵照行业标准，但能效比硅基微处理器高10倍。
由于硅技术不再遵循历史规律发展，业界已经对硅以外的纳米技术进行了大量研究。尽管基于碳纳米管场效应晶体管（CNFET）的数字电路提供了一种显著提高能效的方法，但因为无法完全控制碳纳米管中固有的纳米级缺陷和可变性，阻碍了其在超大规模集成系统中的应用。
美国麻省理工学院的研究人员最近在《自然》杂志上发表了70多页的论文，概述了他们如何克服这些限制，研制出全由CNFET构建的超硅微处理器。他们的研究得到了美国国防高级研究计划局（DARPA）、ADI公司、美国国家科学基金会和空军研究实验室的支持。
这款16位微处理器基于RISC-V指令集，在16位数据和寻址上运行标准32位长指令，包含了14，000多个互补金属氧化物半导体CNFET，并且采用行业标准的流程和工艺进行设计与制造。在论文中，他们提出的碳纳米管制造方法是一整套的综合处理和设计技术，可以克服整个晶圆衬底宏观尺度上的纳米级缺陷。
一个完整RV16X-NANO裸片的显微图像。处理器核心位于裸片中央，测试电路环绕在外围（图片来源：Nature）
超越硅，超越摩尔定律
迄今为止，半导体行业一直遵循着摩尔定律，芯片上每隔几年就挤进更多更小的晶体管，以应对更复杂的计算。但是，终有一天硅晶体管将无法再缩小，并变得越来越低效。研究表明，相较于硅晶体管，CNFET具有10倍的能效且速率更高。但当大规模制造时，晶体管固有缺陷常会影响性能，因而其应用还不现实。
麻省理工学院的研究人员发明了一种新技术，利用传统硅芯片制造工艺，极大地控制了碳纳米管的固有缺陷，而且实现了CNFET的完整功能控制。基于RISC-V开源芯片架构的CNFET微处理器能够准确地执行全套指令，甚至还执行了修订版的经典“Hello，World！”程序，打印出这样一条信息，“Hello， World！I am RV16XNano， made from CNTs”。（你好，世界！我是 RV16XNano，由碳纳米管制成。）