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EDA,IC设计相关技术文章如何控制沉铜层的质量
化学镀铜（Electroless Plating Copper）俗称沉铜。印制电路板孔金属化技术是印制电路板制造技术的关键之一。严格控制孔金属化质量是确保最终产品质量的前提，而控制沉铜层的质量却是关键。日常用的试验控制方法如下：
1．化学沉铜速率的测定：
使用化学沉铜镀液，对沉铜速率有一定的技术要求。速率太慢就有可能引起孔壁产生空洞或针孔；而沉铜速率太快，将产生镀层粗糙。为此，科学的测定沉铜速率是控制沉铜质量的手段之一。以先灵提供的化学镀薄铜为例，简介沉铜速率测定方法：
（1）材料：采用蚀铜后的环氧基材，尺寸为100×100（mm）。
（2）测定步骤：A.将试样在120-140℃烘1小时，然后使用分析天平称重W1（g）；B.在350-370克／升铬酐和208-228毫升／升硫酸混合液（温度65℃）中腐蚀10分钟，清水洗净；C.在除铬的废液中处理（温度30-40℃）3-5分钟，洗干净；D.按工艺条件规定进行预浸、活化、还原液中处理；E.在沉铜液中（温度25℃）沉铜半小时，清洗干净； F.试件在120-140℃烘1小时至恒重，称重W2（g）。
（3） 沉铜速率计算：速率＝（W2-W1）104／8.93×10×10×0.5×2（μm）
（4） 比较与判断：把测定结果与工艺资料提供的数据进行比较和判断。
2．蚀刻液蚀刻速率测定方法
通孔镀前，对铜箔进行微蚀处理，使微观粗化，以增加与沉铜层的结合力。为确保蚀刻液的稳定性和对铜箔蚀刻的均匀性，需进行蚀刻速率的测定，以确保在工艺规定的范围内。
（1）材料：0.3mm覆铜箔板，除油、刷板，并切成100×100（mm）；
（2）测定程序：A.试样在双氧水（80-100克／升）和硫酸（160-210克／升）、温度30℃腐蚀2分钟，清洗、去离子水清洗干净；B.在120-140℃烘1小时，恒重后称重W2（g），试样在腐蚀前也按此条件恒重称重W1（g）。
（3）蚀刻速率计算速率＝（W1-W2）104／2×8.933T（μm／min）