今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从利用氮化镓场效应晶体管和LM5113半桥驱动器实现的功率及效率，器件揭秘:市面上能产生最高功率的gan晶体管这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章利用氮化镓场效应晶体管和LM5113半桥驱动器实现的功率及效率
应用于射频（RF）放大器的包络跟踪（ET）并不是一个全新的概念，但随着我们需要移动电话具备更长的电池寿命、基站需具备更高电源效率，以及昂贵的射频传送器需要实现更大输出功率，使用包络跟踪来改善射频功放（PA）系统的效率逐渐成为了研发的重要议题。包络跟踪能否提高效率关键在于功放的峰值与平均功率比（PAPR）的要求。图1展示了在使用固定的供电电压时，功放的峰值效率可以高达65%，但由于给定的峰均比（PAPR）高达10，因此，平均效率有可能低于25%。通过调制功放的供电电压，可改善功放平均效率达50%以上——相当于效率增长达一倍和减少功放损耗达三分之二。这样不仅降低功耗，也降低操作成本，并满足散热及尺寸等各方面的要求。
但如何能够产生所要求的快速变化、带宽处于数十兆赫兹（MHz）范围的供电电压？我们可以通过不同的方法来实现。其中一个方法是使用如图2所示的混合式线性放大器和多相降压转换器，其中降压转换器只给负载组件/系列的傅里叶大功率、低频部分供电。我们也有讨论其他实现方法，如使用升压转换器或S类放大器。无论使用哪一个方法，氮化镓技术可以推动包络跟踪转换器和宽带RFPA设计。
实现多相降压转换器通常要求开关频率与所需ET带宽相比高出5至10倍，不过对通过混合解决方案和/或非线性控制来提升转换器有效带宽的研究表明，这种方法可以显著降低所需的降压转换器开关频率。为了达到可接受的效率和带宽，仍然有可能要求使用大量的交织相位。本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
图1：理想功放效率与使用固定供电电压时输出功率及包络跟踪工作时的比较。