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模拟技术相关技术文章基于TSMC 0.35μm锗硅射频工艺模型的低噪音放大器的设计
（文章来源：今日电子，作者：石峰，易新敏，王向展，熊莉英）
在一个无线接收系统中，为了获得良好的总体系统性能，需要一个性能优越的前端，而低噪声放大器（LNA）就是前端的一个重要组成部分。
由于共源共栅级结构能同时满足噪声和功率匹配的要求，因此在LNA的设计中被广泛采用。但共源级和共栅级之间的匹配是个关键问题，通过在其之间插入一个级间匹配电感，使得这个问题得以解决。
低噪声放大器电路结构
低噪声放大器作为射频信号传输链路的第一级，必须满足以下要求：首先，具有足够高的增益及接收灵敏度；其次，具有足够高的线性度，以抑止干扰和防止灵敏度下降；第三，端口匹配良好，信号能够有效地传输。另外，还要满足有效隔离、防止信号泄漏以及稳定性等方面的要求。
通常，射频电路端口要与50Ω阻抗匹配，为了满足输入端功率匹配条件，一般采用源极串联电感反馈匹配结构，如图1所示。图2是该结构的小信号图。
图1 源极串联电感反馈匹配结构
图2 源极串联电感反馈匹配结构的小信号图
在图1、图2中，Lg为栅极串连电感，LS为源极串连电感，Cgs为等效栅源电容。由图2可得：
（1）
当谐振时有：
（2）