今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从三种形式的共射放大电路基本电路特性，晶体管transistor这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章三种形式的共射放大电路基本电路特性
BJT共射级电路放大器是比较常用的一种放大电路，不同于前面的共基级放大器单一的电路形式，共射级放大器的设计比较灵活，历史上人们曾经设计出过很多各种各样的共射级放大器。最常用的是以下三种形式的共射放大电路（见下图3-06.01）。一般只要掌握了这三种电路的共通分析方法，那以后再遇到其他比较偏门的共射电路时，我们也可以按照我们已掌握的共通方法，分析出其基本电路特性。
图 3-6.01
1. 固定偏置
固定偏置（fixed-bias configuration）是最简单的共射放大电路结构，我们现以npn型晶体管为例对齐进行直流分析。
（1） 输入静态工作点
我们将固定偏置的共射放大电路重画于下，在直流分析（静态分析）时，可将动态输入电压vi视为0。
图 3-6.02
对于输入端回路，BJT的发射结正偏，我们采用简化分析模型，假设VBE固定为0.7V。因此在输入回路可得：
上式的IB即为输入端的静态工作电流，在上式中我们可以取合适得RB，而得到一个比较合理得IB值（一般为几个微安级）。
（2） 输出静态工作点
输出静态工作点，即为求VCE和IC，我们将输出回路的电压电流关系画于下图：
图 3-6.03
当BJT工作于正常的放大区时：
上两式中的VCE和IC即为输出的静态工作点。
（3） 饱和条件
在共射电路中的饱和条件与共基电路稍有不同，在共基电路中，VCE《0会进入饱和，而在共射电路中，只要VCE《VCEsat（一般我们常近似取为0.3V），晶体管就会进入饱和。因此，我们可以算出此时的集电极饱和电流ICsat，