今天小编要和大家分享的是模拟技术相关信息，接下来我将从基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计，cmos射频低噪声放大器设计ppt这几个方面来介绍。
模拟技术相关技术文章基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计
1 引 言
目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。
由于LNAs通常位于整个接收电路的第一级，由式（1）可以看出，第一级的LNAs对于接收电路有很大的影响。所有在设计LNA电路时，应考虑降低噪声，提高增益，输入输出阻抗匹配，降低功率损耗，提高线性度等重要因素。
2 低噪声放大器电路设计
如图1所示，设计一个cascode型输入的低噪声放大器。图中Ls及Lg用来实现输入阻抗匹配，而调整Ld和Cout可以实现输出阻抗匹配。Cin可以用来阻止输入端的直流信号。
从输入部分电路可以计算出输入阻抗为：
调整Ls使得输入阻抗Zin实部为50 Ω，再调整Lg使得Zin虚部为0。如此即可调出Ls和Lg来实现电路的输入阻抗。但是由于分布参数的影响，Ls和Lg的值还必须代入仿真软件做进一步调整。
对于放大器的输出，由于放大器使用LC并联电路作为负载，所以当LC谐振在2.38 GHz时，理想的LC电路应呈现出开路状态，此时负载最大，增益也最大。但是电路的增益仍然受到电感和电容的Q值影响，所以在进行软件仿真时还需通过调整电感电容值来调整LNA的中心频率。
3 本LNA中无源器件的结构
由于此设计采用全集成化设计，所以无源器件都用CMOS工艺制作在芯片内部，即内嵌式（on-chip）。