今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从SRAM的工作原理图解，晶体管transistor这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章SRAM的工作原理图解
SRAM六管结构的工作原理
注：其实CMOS静态反相器等价于一个非门！SRAM cell 6T等价于SR锁存器（也就是RS触发器）
6T：指的是由六个晶体管组成，如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6.
SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管（M1， M2， M3， M4）构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管（M5， M6）是存储基本单元到用于读写的位线（Bit Line）的控制开关。
SRAM的设计
一个SRAM基本单元有0 and 1两个电平稳定状态。
SRAM基本单元由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接，即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入，第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这实现了两个反相器的输出状态的锁定、保存，即存储了1个位元的状态。
除了6管的SRAM，其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。 这可用于实现多端口（port）的读写访问，如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。
一般说来，每个基本单元用的晶体管数量越少，其占用面积就越小。由于硅芯片（silicon wafer）的生产成本是相对固定的，因此SRAM基本单元的面积越小，在硅芯片上就可以制造更多的位元存储，每位元存储的成本就越低。
内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的— 如3管［5］［6］ 甚至单管，但单管存储单元是DRAM，不是SRAM。
访问SRAM时，字线（Word Line）加高电平，使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通，把基本单元与位线（Bit Line）连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线，但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。
SRAM的操作
SRAM的基本单元有3种状态：standby （电路处于空闲）， reading （读）与writing （修改内容）。
SRAM的读或写模式必须分别具有“readability”（可读）与“write stability”（写稳定）。