今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息,接下来我将从动态随机存取存储器简介,如何评价近期电脑内存暴涨?这几个方面来介绍。

存储技术相关技术文章动态随机存取存储器简介如何评价近期电脑内存暴涨?

存储技术相关技术文章动态随机存取存储器简介

什么是DRAM?

内存是计算机运行的基础。当与CPU结合使用时,可以运行指令集(程序)和存储工作数据。随机存取存储器(RAM)是众所周知的存储器类型,因为它能够以大致相同的时间延迟访问存储器中的任何位置。动态随机存取存储器(DRAM)是一种特定类型的随机存取存储器,它允许以较低的成本获得更高的密度。笔记本电脑和台式机中的内存模块使用DRAM。

DRAM与SRAM

其他类型的存储器,如SRAM、MRAM和Flash。简而言之,DRAM代表动态随机存取存储器,SRAM代表静态随机存取存储器。最大的区别是DRAM使用电容器,而SRAM不使用电容器,尽管还有一些考虑因素,如不同的处理、不同的速度和开发人员的不同成本。

DRAM工作原理

DRAM由RobertDennard于1966年在IBM发明,其工作原理与其他类型的内存大不相同。DRAM中的基本存储单元由两个元件组成:晶体管和电容器。当需要将一个位放入存储器时,晶体管用于对电容器充电或放电。充电电容表示逻辑高或“1”,而放电电容表示逻辑低或“0”。充电/放电通过字线和位线完成,如图1所示。

动态随机存取存储器简介

图1.在DRAM中,位存储为电容器上是否存在电荷

在读或写期间,字线变高,晶体管将电容器连接到位线。位线上的任何值(“1”或“0”)都会从电容器中存储或检索。存储在每个电容器上的电荷太小而无法直接读取,而是由称为感测放大器的电路测量。传感器放大器检测电荷的微小差异并输出相应的逻辑电平。从位线读取的动作迫使电荷流出电容器。因此,在DRAM中,读取是破坏性的。为了解决这个问题,需要进行一种称为预充电的操作,将从位线读取的值放回电容器中。

同样有问题的是,随着时间的推移,电容器会泄漏电荷。因此,为了保持存储在内存中的数据,必须定期刷新电容器。刷新就像读取一样,确保数据永不丢失。这就是DRAM从DRAM单元上的电荷获得“动态”名称的地方,每隔一段时间就会动态刷新一次。与SRAM(静态RAM)形成对比,后者不需要刷新就可以保持其状态。

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