今天小编要和大家分享的是存储技术相关信息，接下来我将从武汉新芯50nm高性能SPI NOR Flash产品全线量产，面向动态随机存储器和非易失性存储器混合主存的光网络的制作方法这几个方面来介绍。
存储技术相关技术文章武汉新芯50nm高性能SPI NOR Flash产品全线量产
2020年5月13日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”），一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。
XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持Known Good Die （KGD）解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。
“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”
关于存储技术就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。