今天小编要和大家分享的是霍尔位置传感器特点 霍尔位置传感器原理,接下来我将从霍尔位置传感器的特点,霍尔位置传感器的原理,这几个方面来介绍。

霍尔位置传感器特点 霍尔位置传感器原理

霍尔位置传感器是一种检测物体位置的磁场传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔位置传感器以霍尔效应原理为其工作基础。

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霍尔位置传感器的特点

●结构紧凑、密封坚固

●机械上可与其他标准光电传感器互换

●含铁金属叶片插入的工作原理

●用于脉冲计数和位置感应

●电流沉(集电极开路)输出

●供电电源3.8—30VDC

●使用中等强度磁铁以减少对周边区域的影响

●内部密封适用于普通环境的应用

●无机械触点,免除磨损

●非接触性位置感应

霍尔位置传感器的原理

在一块通电的半导体薄片上,加上和片子表面垂直的磁场B,在薄片的横向两侧会出现一个电压,如图1中的VH,这种现象就是霍尔效应,是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。VH称为霍尔电压。

这种现象的产生,是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下,分别向片子横向两侧偏转和积聚,因而形成一个电场,称作霍尔电场。霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反,它阻碍载流子继续堆积,直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。这时,片子两侧建立起一个稳定的电压,这就是霍尔电压,这个半导体薄片称为等等。

关于霍尔位置传感器,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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