今天小编要和大家分享的是吸收电容结构特点 吸收电容技术参数，接下来我将从吸收电容的结构特点，吸收电容的技术参数，这几个方面来介绍。
吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。
吸收电容的结构特点
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。
电容结构:双层金属化膜，内部串联结构
封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0)标准.
尺寸:适合于各种IGBT保护。
吸收电容的技术参数
电容量:0.0047to6.8μF
额定电压:700to3000Vdc
损耗角正切:
测试条件1000±20Hz，25±5℃.
Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4
绝缘，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT安全运行。
关于吸收电容,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。