今天小编要和大家分享的是霍尔效应测量系统特性 霍尔效应测量系统参数,接下来我将从霍尔效应测量系统的特性,霍尔效应测量系统的参数,霍尔效应测量系统的应用,这几个方面来介绍。

霍尔效应测量系统特性 霍尔效应测量系统参数

霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成,拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置,是一套非常成熟的仪器系统。

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霍尔效应测量系统的特性

1、可靠的精度及重现性

恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置,将可以接收的误差降到最低;范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声;软硬件有针对性的设计,确保每个实验数据均为多次测试的平均值,使仪器拥有非常好的数据重现性。

2、产品小型化及操作简单化

小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K),确保仪器操作非常简单;两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SpCB),使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量,区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。

3、I-V曲线及I-R曲线测量

采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-centration)、表面载流子浓度(SheetCarrierConcentration)、迁移率(Mobility)、率(Resistivity)、霍尔系数(HallCoefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontalratioofresistance)等等。

霍尔效应测量系统的参数

电流源:

测量范围:1nA-10mA

输出电压:+/-10V(+/-20V)

输出电阻:typical1013Ohms

电流分辨率:25pA

电压测量:

测量范围:10mV-10V(自动量程选择)

分辨率:<500nV

输入电阻:>1013Ohms

磁场范围:0.45T~2T(牛津磁体);

电阻测量范围:1x10-3Ohm-1x109Ohm

电阻率测量范围:1x10-5Ohm*cm-1x107Ohm*cm

载流子浓度范围:107cm-3-1021cm-3

霍尔效应测量系统的应用

霍尔效应测量系统用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的。

关于霍尔效应测量系统,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

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