今天小编要和大家分享的是晶体管特性图示仪用途 晶体管特性图示仪主要技术指标，接下来我将从晶体管特性图示仪的用途，晶体管特性图示仪的主要技术指标，晶体管特性图示仪的构成，晶体管特性图示仪的原理，这几个方面来介绍。
晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等。
晶体管特性图示仪的用途
晶体管特性图示仪可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压BUCBO、BUCEO、BUEBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。
晶体管特性图示仪的主要技术指标
（l）Y轴编转因数：
集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％；
集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％；
基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；
基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％；
外接输入：0.1V／度，误差≤±3％；
（2）X轴偏转因数：
集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％；
基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％；
基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％；
外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。
（3）基极阶梯信号：
阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档；
阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档；
串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档；
每族级数：4～12连续可变；
每秒级数：100或200，共3档；
阶梯作用：重复、关、单族，共三档；
极性：正、负两档；
误差≤±5％．
（4）集电极扫描信号：
峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调；
电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）；
功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％；
（5）及各种控制电路等组成.各组成的主要作用如下:
(1)集电极扫描发生器的主要作用,是产生集电极扫描电压,其波形是正弦半波波形,幅值可以调节,用于形成水平扫描线.
(2)基极阶梯发生器的主要作用,是产生基极阶梯电流信号,其阶梯的高度可以调节,用于形成多条曲线簇.
(3)同步脉冲发生器的主要作用,是产生同步脉冲,使扫描发生器和阶梯发生器的信号严格保护同步.
(4)X轴电压放大器和Y轴电流放大器的主要作轴电压放大器和Y用,是把从被测元件上取出的电压信号(或电流信号)进行放大,达到能驱动显示屏发光之所需,然后送至示波管的相应偏转板上,以在屏面上形成扫描曲线.
(5)示波器的主要作用,是在荧屏面上显示测试的曲线图象.
(6)电源和各种控制电路,电源是提供整机的能源供给,各种控制电路是便于测试转换和调节.
晶体管特性图示仪的构成
下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。
1．二极管伏安特性的测试原理
流过二极管的电流I与二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线（正向区）可知，当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时，二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。
二极管方程式中：在环境温度为300K时，UT≈26mV。
将这一过程重复进行称为“电压扫描”。根据特性曲线所在的象限，用本仪器“X轴作用”和“Y轴作用”的“移位”旋钮调整扫描的原点在示波器屏幕的左下角或右上角。当测量二极管正向特性曲线时，由于曲线位于第一象限，所以应将原点调整至屏幕左下角。（而反向特性曲线位于第三象限，应将原点调整至右上角，并将扫描电压极性选择为“－”。）二极管两端的电压U的值经“X轴放大器”放大后，控制示波器光点在X轴方向的运动。当电压由0逐渐增大时，光点从最左边的原点处向右水平移动，光迹的长度与电压值成正比。同时，用流过二极管的电流I的值（需变换成电压）经“Y轴放大器”放大后，来控制示波器光点在Y轴方向的运动。当电流由0逐渐增大时，光点由最下边的原点处向上垂直运动，光迹的长度与电流成正比。两者的共同作用就会使示波器的光点在在屏面上显示出二极管的伏安特性曲线，并可根据示波管上的刻度定量读出电压、电流的数据。
测试二极管伏安特性曲线时，仪器工作原理如图1所示。
（1）将“测试选择”开关扳向中间（“关”），被测二极管插入测试台左侧“E”和“C”中，这时二极管没有加电；当其它选项调节好后，再将“测试选择”扳向“晶体管A”侧，进行加电测量。
（2）测试二极管时，基极“阶梯信号”不起作用。加在被测二极管上的电压由“集电极扫描信号”单元提供。
“集电极扫描信号”单元输出的是频率为100Hz的脉动直流电压，波形如的正电压或的负电压，由“极性”旋钮控制，可选“＋”或“－”；电压的峰值由“峰值电压范围”选择，可选“0～20伏”或“0～200伏”，再由“峰值电压”旋钮细调，可产生上述范围之间的任意值。注意：测量半导体器件一般选择“0～20”，而“0～200”用来测试器件的反向击穿电压。“功耗限制电阻”串连在电路中起保护作用，避免过大电流流过被测管。
测量二极管时，调节JT-1的“集电极扫描单元”的控制旋钮，使“极性”为“＋”，“峰值电压范围”为“0～20V”，“峰值电压”先旋为“0”，正式测量时加大到所需值。“功耗限制电阻”在测量大电流二极管时可选几Ω或几十Ω，小电流管可选几十Ω至几KΩ。
（3）“X轴作用”用来选择X轴放大器的测量对象和X轴放大器放大倍数，当扳至“集电极电压”0.1“伏∕度”时，输入的测量对象是测试台“C”、“E”之间的电压--即二极管两端的电压值U，X轴方向每格代表0.1伏。
（4）“Y轴作用”用来选择Y轴放大器的测量对象和Y轴放大器的放大倍数，当扳至“集电极电流”1“毫安∕度”，输入的测量对象是“电流采样电阻”两端的电压值--与流过二极管的电流值对应，Y轴方向每格代表1毫安。“电流采样电阻”的作用是将集电极电流I转换为示波器所需的电压值。
（5）如上所述设置好测量条件后，将测试台的“测试选择”开关扳向“晶体管A”侧，并将峰值电压由0逐渐加大，便可观测到二极管的伏安特性曲线的正向区；如果要观察二极管的反向区曲线，可将二极管反插或将“集电极扫描信号”的“极性”扳向“－”。并将扫描原点移至右上角。
2．三极管输出特性测量
用图3所示的“三极管输出特性曲线”可描述出三极管的集电极输出特性。由三极管的输出特性曲线可以测得三极管的电流放大倍数β、饱和压降UCES、集电极输出电阻rce和集电极击穿电压BVCE0，因此是十分有用的。
在测试三极管输出特性时，首先要保持被测三极管的基极电流IB为某个固定不变的值（例如20μA），以集电极电压UCE作为变量，从0逐渐增大，逐点记录集电极电流IC的值，绘出UCE和IC关系曲线，得到在此IB条件下（本例IB=20μA）的一条输出特性曲线；然后，改变IB的值，重复以上的操作可绘出另一IB条件下的输出特性曲线。由于UCE-IC曲线是以IB为条件绘出的，所以IB被称为“参变量”。
在本仪器中，上述测量步骤是连续、重复进行的，输入基极的电流IB是一种阶梯形扫描电流，波形如图3.6.5所示，由0开始，以某个固定值（例如10μA，仪器标志为：“0.01mA∕级”）逐级增大，图中每族曲线为4级。以每一级IB为参变量绘一条输出特性曲线（对应每级IB，集电极电压扫描一次），这样将会得到以IB为“参变量”的输出特性曲线族（实际上所谓的“输出特性曲线”都是指输出特性曲线族）。将集电极电压UCE输入X轴放大器放大后，控制示波管的水平扫描；将集电极电流IC经取样电阻变换为电压后，送Y轴放大器，控制示波管的垂直扫描，便可在示波管屏面上产生“输出特性曲线”。根据示波管屏面的方格，可以定量测得三极管的有关参数。
用JT-1测试晶体管输出特性曲线时，工作原理见图2。
（1）“测试选择”位于“关”，将被测三极管插入测试台左边插座，三极管的管脚要插正确。
以下为设置测试条件，根据测试要求设置。
（2）“集电极扫描信号”：
“峰值电压范围”选“0～20V”；
“极性”选“＋”；
“功耗限制电阻”位于“500”；
“峰值电压”位于0，测试时，再逐渐加大至所需值。
（3）“基极阶梯信号”：
“极性”选“＋”；
“阶梯作用”选“重复”；
“级∕秒”选“200”；
“阶梯选择”的“mA∕级”选0.01（即输出为阶梯电流，每级阶梯为10μA）；
“级∕族”用来设置一族曲线的条数，即阶梯电流的级数，一般可根据显示的稳定情况，选4～10级，级数较大会造成显示闪动，观察不方便。
以下为波形的显示设置，相当与设置示波器的“量程范围”。如果设置不当，可能造成波形显示不全或显示太小。应根据波形显示的情况设置。
（4）“Y轴作用”
“mA∕度”置于“集电极电流”，“毫安-伏∕度”为1，表示Y轴的测试对象是“集电极电流”，量程是每度（1方格）代表1mA。在测试时，如果显示的波形超出屏幕范围，应增大该值。
（5）“X轴作用”
“伏∕度”置于“集电极电压”，1。表示测试的对象是集电极电压，量程是每度1伏。在测试时，应根据显示情况调节。例如测量“饱和压降”UCES时，应旋至0.1V，而测试“击穿电压”BVCE0时，应置于10或20V，这样才能测试准确。
图3是测试所得的“三极管输出特性曲线”示意图。图中的虚线方格就是仪器示波管屏面的方格。为简化起见，同时表示出“饱和压降”UCES和“集电结反向击穿电压”BUCE0，X轴的量程的设置：左边为1度∕伏，右边为10度∕伏，真正测试时，不可能同时得到这种结果，请明确。而且，UCE和IC两个“座标轴”也不会显示在屏幕上，应在记录实验结果时，由测试者对应方格添画上。由图3.6.4可以得到如下的参数：
共射直流电流放大系数β：测试条件为IC=4mA，UCE=3V。由曲线图上找到IC=4mA时，对应曲线IB=40μA。所以，；
共射交流电流放大系数：测试条件为IC=4mA，UCE=3V。由曲线图上找到在IC=4mA附近的是IC=3mA，对应曲线IB=30μA。所以：＝ΔIC∕ΔIB＝（4－3）mA∕（40－30）μA＝100；
饱和压降UCES：UCES≈1V；
基极开路时，集电极、发射极间的击穿电压BUCE0：“基极阶梯信号”扳向“零电流”逐渐增加集电极扫描峰值电压，至特性曲线剧增为止。击穿处的UCE就是BUCE0。本例中BUCE0≈63V
晶体管特性图示仪的原理
1,避免过冷和过热,仪器工作温度为0~40℃;
2,避免炎热与寒冷环境的交替;
3,避免湿度,水份和灰尘,最佳使用相对湿度范围是35~90[%];
4,避免重物压置,撞击,倒置;
5,面板的测试插孔要避免电源或有电信号输入.
关于晶体管特性图示仪,电子元器件资料就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。