增加MOSFET的死区时间，可以提供足够的二极管反向恢复时间同时降低高dv/dt, di/dt 对LLC电路造成的风险。但是增加死区时间是唯一的选择么？下面我们进一步分析如何够降低风险提升系统效率。
图1
对于LLC 电路来说死区时间的初始电流为
而LLC能够实现ZVS必须满足
而最小励磁电感为
根据以上3个等式，我们可以通过以下三种方式让LLC实现ZVS.
第一， 增加Ipk.
第二， 增加死区时间。
第三， 减小等效电容Ceq即Coss.
从以上几种状况，我们不难分析出。增加Ipk会增加电感尺寸以及成本，增加死区时间会降低正常工作时的电压，而最好的选择无疑是减小Coss,因为减小无须对电路做任何调整，只需要换上一个Coss相对较小MOSFET即可。